SEOUL, Starnberg, 9./28. Okt. 2014 – 3bit V-NAND ist Samsungs V-NAND Komponente der 2. Generation...

Zum Hintergrund: Die Speicherdichte von Flash (NAND) erhöhen und gleichzeitig die Zuverlässigkeit verbessern... Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion des ersten 3bit Multi-Level-Cell (MLC) dreidimensionalen Vertical NAND (V-NAND) Flash-Memory für den Einsatz in Halbleiterlaufwerken (Solid State Drives) begonnen. Das 3bit V-NAND ist Samsungs V-NAND der zweiten Generation. Genutzt werden 32 vertikal gestapelte Zell-Layer pro NAND Memory Chip. Jeder Chip bietet eine Speicherkapazität von 128 gigabit. Bei Samsungs V-NAND Chip-Struktur ist jede Zelle mit Charge Trap Flash (CFT) Technologie elektrisch mit einer nicht-leitenden Schicht verbunden. Jedes Zellenarray ist vertikal auf das nächste Array gestapelt, um Chips mit mehreren Milliarden Zellen zu erhalten.

• Der Einsatz von 3 bit-per-cell, 32 Layer, vertikal gestapelter Zellenarrays erhöht auch die Effizienz der Speicherproduktion gemäß Hersteller deutlich.

• Gegenüber der eigenen 10 nanometer (nm) Class* 3bit planar NAND-Flash ermöglicht das neue 3bit V-NAND mehr als die doppelte Wafer-Produktivität. Es ist damit potentiell mit weiteren Preis-/Leistungsverbesserungen im kommerziellen Flash Bereich zu rechnen.

Samsung hat seine ersten V-NAND (24 Layer Zellen) Produkte im August 2013 vorgestellt. dieV-NAND (32 Layer) Zellenarray-Struktur der zweiten Generation stellte das Unternehmen im Mai 2014 vor. Nachdem 2012 erstmals SSDs auf der Basis von 3bit planar NAND Flash produziert wurden, hat der Hersteller nach eigener Aussage bewiesen, dass es einen Massenmarkt für High-Density 3bit NAND SSDs gibt. Das industrieweit erste 3bit 3D V-NAND kann die Marktakzeptanz von V-NAND Memory für SSDs erhöhen, die sich für ganz normale PC-Anwender eignen, adressiert auch Speicheranforderungen vieler Server hinsichtlich "High-Endurance".

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Abb. 1: Bildquelle Samsung Electronics Co.Ltd., 2014, V-NAND