Samsung NVMe SSDs mit 3,2 TB als 3D V-NAND Flash Memory

Seoul, Starnberg, 25. Sept. 2014 – Massenproduktion von High-Density NVM Express SSDs für Enterprise-Sever der nächsten Generation gestartet…

Zum Hintergrund: Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion von 3,2 Terabyte (TB) großen NVMe PCIe SSDs (Solid State Drives) in 3D V-NAND (Vertical NAND) Flash-Speicher-Technologie begonnen. Die neuen SSDs sind für den Einsatz in High-End Enterprise-Serversystemen vorgesehen. Die NVMe PCIe SSDs mit der Bezeichnung SM1715 nutzen die proprietäre 3D V-NAND Technologie von Samsung in einem HHHL (Half-Height, Half-Length) Karten-Formfaktor und bieten eine Speicherkapazität von 3,2TB. Gegenüber den bisher größten NVMe SSDs mit 1,6TB von Samsung ist dies das doppelte Speichervolumen. SM1715 ist hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit eine verbesserte Version der XS1715 (für XS1715 mit 2,5 Zoll hat Samsung zum Jahresbeginn eine Auszeichnung als „2014 Flash Memory Summit Best of Show" erhalten). 

  • Die neue 3,2TB NVMe SSD bietet eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 3.000 MByte/s und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 2.200 MByte/s. Wahlfreie Lesevorgänge erfolgen mit bis zu 750.000 IOPS (Input Output Operations per Second); wahlfreie Schreibvorgänge mit bis zu 130.000 IOPS.
  • Ferner zeichnet sich die 3,2TB große SM1715 durch die hohe Zuverlässigkeit von 10 DWPDs (Drive Writes Per Day) für fünf Jahre aus. Dieses hohe Maß an Robustheit haben die Hersteller von Enterprise Servern laut Anbieter für ihre High-End Speicher-Lösungen verlangt.
  • Angeboten wird SM1715 in Versionen mit 1,6TB und 3,2TB. Es erweitert somit die NVMe-Optionen um ein 2,5 Zoll NVMe XS1715 Angebot, das 800 GB- und 1,6TB Versionen enthält.

Seit 2013 hat der Hersteller eine Reihe industrieweit erster 3D V-NAND-basierter SATA SSDs für PCs und Rechenzentren vorgestellt. Jetzt bringt das Unternehmen SM1715 auf den Markt, um nach eigenen Angaben den Übergang auf die NVMe-Schnittstelle im Bereich Premium-Server zu beschleunigen. Zugleich wird das 3D V-NAND SSD-Geschäft erweitert, um auch Laufwerke über 3.0 TB anbieten zu können.

Herstellerzitat: "Durch den Beginn der Massenproduktion dieser neuen V-NAND-basierten NVMe SSDs, welche die größte heute verfügbare Leistungsfähigkeit und Speicherdichte bieten, erwarten wir eine wesentliche Ausdehnung des Marktes für High-Density SSDs", sagt Jeeho Baek, Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics. „Samsung plant in Zukunft weitere, noch leistungsstärkere V-NAND-basierte SSDs mit noch höherer Speicherkapazität und Zuverlässigkeit vorzustellen, um seinen Kunden weltweit Wettbewerbsvorteile zu verschaffen."

http://www.samsung.com/SSD

Abb. 1: Bildquelle NVME, Linux Storage Stack, 2014